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日本莎姆克PECVD等離子體增強化學氣相沉積系統介紹
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日本莎姆克PECVD等離子體增強化學氣相沉積系統介紹

等離子體CVD

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等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)是通過將活性氣體變成等離子體狀態,在目標基材上產生活性自由基和離子,使目標基材發生化學反應而形成薄膜的技術。在化合物半導體和硅半導體的制造過程中,用于沉積作為鈍化膜的氮化硅薄膜(SiN)和作為層間絕緣膜的氧化硅薄膜(SiO?)。

日本莎姆克PECVD等離子體增強化學氣相沉積系統是由日本莎姆克株式會社生產的設備。

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等離子體增強型CVD設備 PD-2201LC節省空間的生產系統

PD-2201LC 是一種盒式裝載等離子體增強化學氣相沉積 (PECVD) 設備,能夠沉積硅基薄膜(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅)。

55世纪 該系統在節省空間的前提下提供了PECVD的所有標準功能。可在直徑220毫米的區域內沉積具有優異厚度均勻性和應力控制的薄膜,并具有優異的穩定性和可重復性。用戶友好的觸摸屏界面,用于參數控制和配方存儲。該系統是大規模生產用薄膜沉積的理想選擇,具有優異的重復性。

55世纪 主要特點和優點

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加工范圍:?220 mm (?3" x 5, ?4" x 3, ?8" x 1)

55世纪 優異的均勻性和應力控制

55世纪 卓越的工藝穩定性和可重復性

堅固的系統,最低的運行/維護成本

55世纪 用戶友好的觸摸屏界面,用于參數控制和配方存儲

PD-2201LC設計時尚、節省空間,只需最小的潔凈室空間

雙頻(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD,用于卓越的過程控制

應用

SiH4-SiNx

SiH4-SiO2

液體前驅體(SN-2)SiNx。

TEOS-SiO2

等離子體增強型CVD設備 PD-220NL緊湊的研發用負載鎖定系統

PD-220NL 是一種負載鎖定等離子體增強化學氣相沉積 (PECVD) 系統,能夠沉積硅基薄膜(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅)。

該系統以非常緊湊的占地面積提供了PECVD的所有標準功能。可在直徑220毫米的區域內沉積具有優異厚度均勻性和應力控制的薄膜,并具有優異的穩定性和可重復性。用戶友好的觸摸屏界面,用于參數控制和配方存儲。該系統是研發用薄膜沉積以及試生產的理想選擇。

55世纪 主要特點和優點

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加工范圍:?220 mm (?3" x 5, ?4" x 3, ?8" x 1)

55世纪 優異的均勻性和應力控制

55世纪 卓越的工藝穩定性和可重復性

堅固的系統,最低的運行/維護成本

55世纪 用戶友好的觸摸屏界面,用于參數控制和配方存儲。

55世纪 PD-220NL設計時尚、緊湊,只需最小的潔凈室空間。

雙頻(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD,用于卓越的過程控制。
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應用

SiH4-SiNx

55世纪 SiH4-SiO2

液體前驅體(SN-2)SiNx。

TEOS-SiO2
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等離子體增強型CVD設備 PD-3800L批量加工設備

PD-3800L是一種能夠沉積硅基薄膜(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅)的鎖載等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)系統。

該系統由于采用了大型反應室,并通過載盤裝載多片晶圓進行批量處理,因此產量較高。在直徑360mm的區域內可以沉積出具有優異的厚度均勻性和應力控制的薄膜,具有優異的穩定性和可重復性。用戶友好的觸摸屏界面用于參數控制和配方存儲。該系統是大規模生產用薄膜沉積的理想選擇,具有優異的重復性。

主要特點和優點

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55世纪 加工范圍:?360 mm (?3" x 9, ?4" x 6, ?6" x 3)

優異的均勻性和應力控制

55世纪 卓越的工藝穩定性和可重復性

堅固的系統,最低的運行/維護成本

用戶友好的觸摸屏界面,用于參數控制和配方存儲。
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應用

55世纪 SiH4-SiNx

55世纪 SiH4-SiO2

55世纪 液體前驅體(SN-2)SiNx。

TEOS-SiO2

選項

自動傳送裝置(從盒式裝載到?360毫米的托架上)


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